单晶硅压力传感器的工作原理
如图1所示，DW3351单晶硅传感器的敏感元件是将P型杂质扩散到N型硅片上，形成极薄的导电P型层，焊上引线即成“单晶硅应变片”，其电气性能是做成一个全动态的压阻效应惠斯登电桥。该压阻效应惠斯登电桥和弹性元件(即其N型硅基底)结合在一起。介质压力通过密封硅油传到硅膜片的正腔侧，与作用在负腔侧的介质形成压差，它们共同作用的结果使膜片的一侧压缩，另一侧拉伸，压差使电桥失衡，输出一个与压力变化对应的信号。惠斯登电桥的输出信号经电路处理后，即产生与压力变化成线性关系的4-20mA标准信号输出。
对于表压传感器，其负腔侧通常通大气，以大气压作为参考压力；对于绝压传感器，其负腔侧通常为真空室，以绝对真空作为参考压力；对于差压传感器，其负腔侧的导压介质通常和正腔侧相同，如硅油、氟油、植物油等。
图1 硅传感器结构图 图2 膜片受压示意图
如图2所示，在正负腔室的压差作用下，引起测量硅膜片（即弹性元件）变形弯曲，当压差P小于测量硅膜片的需用应力比例极限σp时，弯曲可以完全复位；当压差P超过测量硅膜片的需用应力比例极限σp后，将达到材料的屈服阶段，甚至达到强化阶段，此时撤去压差后测量硅膜片无法恢复到原位，导致发生不可逆转的测量偏差；当压差P达到或超过测量硅膜片能承受的最高应力σb后，测量硅膜片破裂，直接导致传感器损坏。因此，通过阻止或削弱外界的过载压差P直接传递到测量硅膜片上，可以有效保护传感器的测量精度和寿命。这就引出了对单晶硅芯片进行过载保护设计的问题。
2.2 DW3351的压力过载保护设计和实现
如图3所示，为克服单晶硅硅片抗过载能力不足的缺陷，DW3351配备了一种具有单向压力过载保护的差压传感器。该单向压力过载保护差压传感器不仅能测出现场工况在额定压力范围内的压差值，而且在发生单向压力过载的情况下还能有效地进行自我保护，避免了硅差压传感单向压力过载而引起的损坏。
图3 带过载保护的差压传感器结构示意图
如图4、图5所示，当有超过差压测量硅膜片允许工作范围的差压出现时，中心隔离移动膜片向低压一侧移动，并使高压一侧的外界隔离膜片和腔室内壁重合，从而使得高压侧硅油全部赶入腔室内，无法向单晶硅芯片进一步传递更高的压力值，最终在单晶硅芯片上避免了超高压的发生，有效地实现了保护单晶硅芯片的目的。
图4 正腔过载示意图 图5 负腔过载示意图
DW3351的这种抗过载设计方法有效的保护了单晶硅芯片的长期工作稳定性，尤其在有水锤现象存在的工况场合更加能够突出其优越性。
2.3 DW3351优越的量程比可调性能
由于单晶硅芯片的输出信号量较大，在5V的恒压源激励下其典型的量程输出到达了100mV，这样对于后端的电子电路和软件较为容易实现信号补偿和放大处理。相比于金属电容式压力、差压变送器，单晶硅原理的压力、差压变送器的量程比性能非常优越，其常用压力变送器的量程可调比达到了100:1，微差压变送器的可调量程比达到10:1。经量程压缩后仍能保持较高的基本精度，大幅拓宽了单晶硅压力变送器的可调节范围，对用户的应用较为方便和有意义。
如表1所示，3台经抽样的DW3351差压变送器经过10:1量程缩小和100:1量程缩小后的准确度考核结果。满量程为0-250kPa，压缩10倍后的量程变更为0-25kPa，压缩100倍后的量程变更为0-2.5kPa。从实验的结果可以看出，当压缩10倍量程比后，其基本误差分别为0.019%、0.012%、0.025%，仍然
能够保持由于0.05级的准确度；当压缩100倍量程比后，其基本误差分别为0.147%、0.219%、0.197%，其仍然可以优于0.25级的准确度。
表一 DW3351单晶硅差压变送器的量程比性能试验
如表2所示，3台经抽样的DW3351压力变送器经过10:1量程缩小和100:1量程缩小后的准确度考核结果。满量程为0-40MPa，压缩10倍后的量程变更为0-4MPa，压缩100倍后的量程变更为0-400kPa。从实验的结果可以看出，当压缩10倍量程比后，其基本误差分别为0.041%、0.047%、0.034%，仍然能够达到0.05级的准确度；当压缩100倍量程比后，其基本误差分别为0.15%、0.063%、0.153%，其仍然可以优于0.25级准确度。
表二 DW3351单晶硅压力变送器的量程比性能试验
2.4 DW3351优越的压力滞后性能
压力滞后特性也称回程误差特性，俗称回差，对于压力、差压变送器来说是一个较为重要的考核指标。回差的大小直接影响到变送器的测量准确性和长期漂移性能。如图5所示，这是一张典型的单晶硅误差曲线和金属电容误差曲线的比较示意图。从图中可以看出，单晶硅原理传感器的线性误差曲线的回差极小，上行程和下行程几乎重合，其回差基本可以忽略不计；而金属电容式原理的线性误差曲线的回差较大，上行程和下行程呈开口状，直接影响到变送器的输出精度。
图5 误差曲线例图
2.5 DW3351独特的静压特性
差压变送器在测量罐体液位或管道流量时，如果对静压影响不作校正或补偿，将会给测量带来较大误差，尤其是在液位范围较小或相对流量较小时，影响更巨大。例如一台电容式差压变送器同节流装置一起组成差压式流量计，在32MPa工作静压条件下其满量程静压误差为≤±2%FS，虽然其零位误差，可以通过调零来消除，但是满位输出误差无法避免。因此此静压误差直接影响流量的测试，并且影响量较大。在这种应用工况下，差压变送器的静压性能显得尤为重要，如果静压误差经过补偿，或其本身静压误差极小，则其测量精度将会得到大幅提高。
DW3351差压变送器采用独特的单晶硅芯片封装工艺，封装以后其内腔和外腔达到压力平衡。如图6所示为单晶硅硅片的封装示意图，当有工作静压加载到测量硅片的正负腔时，工作静压通过硅片外部的正腔硅油和硅片内部的负腔硅油平衡加载到测量硅片上，并实现了相互抵消，从而使得测量硅片对工作静压的弯曲变形极小。这样处理大幅提升了差压变送器的静压影响性能。
图6 单晶硅硅片封装示意图
而在微差压变送器的应用场合，由于微差压信号量过小，对于静压影响造成的影响非常敏感，如上所述的独特的封装设计和工艺仍不能完全消除或减弱静压影响量。因此针对此问题，DW3351的微差压变送器在其传感器的内部集成了一个可以测量工作静压的绝压传感器，如图7所示为DW3351微差压传感器的结构示意图。此绝压传感器可以将测得的工作静压信号实时反馈给内部的微处理器，微处理器利用此工作静压坐标轴自动修正微差压输出信号，从而达到静压补偿的功能。通过独特的封装工艺以及加装绝压传感器后，大幅提升了DW3351差压变送器的工作静压性能，从而保证了差压变送器的测量准确度和高稳定性。
图7 单晶硅微差压传感器结构示意图
2.6 DW3351独特的膜片处理工艺
相比于美国罗斯蒙特的金属电容式传感器、日本横河的单晶硅传感器、欧洲ABB的硅差压传感器等采用的隔离环膜片焊接方式，DW3351差压传感器采用了更为先进的无隔离环的卫生型膜片焊接方式。这种卫生型膜片焊接方式使得焊缝光滑，无缝隙，无死角，可以满足直接焊接多种材质膜片，如 316L、哈氏C、钽膜片、蒙乃尔膜片，由于没有缝隙的存在还可以在接液面进行直接镀金和喷涂PTFE等处理工艺。这种设计方式和特殊的处理工艺使得差压变送器的接液范围大幅延伸和拓展，并且大幅提升了腐蚀场合差压变送器的使用寿命。
2.7 DW3351独特的超高温远传设计和实现
众所周知，压力、差压变送器中的高温远传膜盒在应用过程中，当介质温度超过350℃应用时存在着巨大的安全隐患，较为容易出现硅油气化、数据失真或寿命下降等问题，这就要求应用现场的介质有一定的工作静压从而形成背压来保证膜盒的正常工作。这样造成了压力、差压变送器的远传液位测量应用范围受到了限制。而600℃超高温远传压力变送器采用了超高温介质的测量技术，其介质的可测量温度达到了600℃。
图8 超高温远传结构 原理图
如图8所示为此超高温远传的结构示意图。此超高温远传结构分为超高温充灌液和普通高温充灌液两个腔体，两个腔体之间焊接隔离膜片，并在超高温充灌腔体内设一个散热杆。和介质直接接触的超高温充灌液可以承受600℃的介质高温，但是超高温充灌液的粘度较高，不适合充入毛细管进行压力传递。因此，通过中间隔离膜片和普通高温充灌液腔体的压力进一步传递，可以保证压力的有限传递和快速响应。而高温热量经散热后传递到普通高温充灌腔体时温度已大幅下降，可以保证普通高温充灌液腔体的正常使用。这种方式拓宽了高温远传变送器的应用范围，并提高了超高温远传变送器的可靠性和寿命。
2.8 DW3351的实现性能指标和可靠性
通过以上对DW3351系列产品技术的介绍和分析，笔者简要地阐述了DW3351单晶硅高稳定性压力、差压变送器项目的实现过程。制造厂商从单晶硅原理芯片的选择、单晶硅硅片的无应力封装、回程误差的消除、静压影响的减弱、量程比的放大、接液面的特殊处理工艺以及超高温测量的拓展等多方面来提升高稳定性压力、差压变送器的全性能、准确度等级和可靠性。通过以上多种途径的技术引进和消化，并再加入创新性设计，使得DW3351系列高稳定性压力、差压变送器达到了国际先进水平，其主要的技术优势表现为：
①准确度等级达到0.05级，并取得计量器具制造许可证，达到了国际先进水平；
②微差压变送器采用独特的双过载保护膜片专利技术，可达±0.075%的高测量精度，最大的工作静压达到16MPa，最小的测量差压为-50Pa~50Pa，遥遥领先国内外技术水平；
③差压变送器最高工作静压可达40MPa，单向过载压力最高可达40MPa；
④差压传感器内部可选封装绝压传感器，可用于现场工作静压的测量和显示，也可应用于静压补偿，使得单晶硅压力变送器的静压性能极佳，使得典型规格的静压误差最优为≤±0.05%/10MPa。同时，由于内部绝压传感器的集成，保证了DW3351多参数变送器的成功研发，可广泛用于气体流量的测量领域，并填补了国内高端多参数变送器的空白。
5）压力、差压传感器内部集成的高灵敏度温度传感器，使得变送器温度性能极佳，最优为≤±0.04%/10K；
6）6kPa和40kPa微压力量程表压/绝压变送器可选用独特无传压损耗过载保护膜片专利技术，单向过压最高达7MPa，大幅拓宽了微压力传感器的特殊领域的应用范围；
7）典型规格的长期零位漂移量≤±0.1%/3年，并通过12万次90%的量程的极限压力疲劳测试，达到了10年免维护的能力；
8）实现了极宽的测量范围0-100Pa～60MPa，最高100:1的可调节量程比输出；
9）远传变送器采用先进的超高温专利技术，可应用于400℃超高温测量场合，突破了远传产品应用和测量的瓶颈。
这种单晶硅电阻式传感器的输出灵敏性高、信号量大、回差极小，并且电路设计较为简洁可靠，所以国际上较多变送器制造厂商优先采用此方案进行高端变送器的研发和制造。但是较之上文提及的金属电容式传感器和单晶硅谐振式传感器， 单晶硅电阻芯片的应用具有较为特殊的工艺要求。主要表现在硅芯片的无应力封装技术和硅薄膜的单向过载保护技术方面。这两项应用技术在2000年之前牢牢掌握在西方发达国家手中，从2010年之后，国内企业通过从瑞士ROCKSENSOR的技术合作、引进和再研发，最终充分掌握了多项相关技术，因此实现了高稳定性硅压力、差压变送器在国内大规模制造，其DW3351系列的高稳定性单晶硅变送器的准确度等级达到了0.05级，缩短了与以上工业发达国家知名品牌变送器的差距。
如图1所示，DW3351单晶硅传感器的敏感元件是将P型杂质扩散到N型硅片上，形成极薄的导电P型层，焊上引线即成“单晶硅应变片”，其电气性能是做成一个全动态的压阻效应惠斯登电桥。该压阻效应惠斯登电桥和弹性元件(即其N型硅基底)结合在一起。介质压力通过密封硅油传到硅膜片的正腔侧，与作用在负腔侧的介质形成压差，它们共同作用的结果使膜片的一侧压缩，另一侧拉伸，压差使电桥失衡，输出一个与压力变化对应的信号。惠斯登电桥的输出信号经电路处理后，即产生与压力变化成线性关系的4-20mA标准信号输出。
对于表压传感器，其负腔侧通常通大气，以大气压作为参考压力；对于绝压传感器，其负腔侧通常为真空室，以绝对真空作为参考压力；对于差压传感器，其负腔侧的导压介质通常和正腔侧相同，如硅油、氟油、植物油等。
图1 硅传感器结构图 图2 膜片受压示意图
如图2所示，在正负腔室的压差作用下，引起测量硅膜片（即弹性元件）变形弯曲，当压差P小于测量硅膜片的需用应力比例极限σp时，弯曲可以完全复位；当压差P超过测量硅膜片的需用应力比例极限σp后，将达到材料的屈服阶段，甚至达到强化阶段，此时撤去压差后测量硅膜片无法恢复到原位，导致发生不可逆转的测量偏差；当压差P达到或超过测量硅膜片能承受的最高应力σb后，测量硅膜片破裂，直接导致传感器损坏。因此，通过阻止或削弱外界的过载压差P直接传递到测量硅膜片上，可以有效保护传感器的测量精度和寿命。这就引出了对单晶硅芯片进行过载保护设计的问题。
2.2 DW3351的压力过载保护设计和实现
如图3所示，为克服单晶硅硅片抗过载能力不足的缺陷，DW3351配备了一种具有单向压力过载保护的差压传感器。该单向压力过载保护差压传感器不仅能测出现场工况在额定压力范围内的压差值，而且在发生单向压力过载的情况下还能有效地进行自我保护，避免了硅差压传感单向压力过载而引起的损坏。
图3 带过载保护的差压传感器结构示意图
如图4、图5所示，当有超过差压测量硅膜片允许工作范围的差压出现时，中心隔离移动膜片向低压一侧移动，并使高压一侧的外界隔离膜片和腔室内壁重合，从而使得高压侧硅油全部赶入腔室内，无法向单晶硅芯片进一步传递更高的压力值，最终在单晶硅芯片上避免了超高压的发生，有效地实现了保护单晶硅芯片的目的。
图4 正腔过载示意图 图5 负腔过载示意图
DW3351的这种抗过载设计方法有效的保护了单晶硅芯片的长期工作稳定性，尤其在有水锤现象存在的工况场合更加能够突出其优越性。
2.3 DW3351优越的量程比可调性能
由于单晶硅芯片的输出信号量较大，在5V的恒压源激励下其典型的量程输出到达了100mV，这样对于后端的电子电路和软件较为容易实现信号补偿和放大处理。相比于金属电容式压力、差压变送器，单晶硅原理的压力、差压变送器的量程比性能非常优越，其常用压力变送器的量程可调比达到了100:1，微差压变送器的可调量程比达到10:1。经量程压缩后仍能保持较高的基本精度，大幅拓宽了单晶硅压力变送器的可调节范围，对用户的应用较为方便和有意义。
如表1所示，3台经抽样的DW3351差压变送器经过10:1量程缩小和100:1量程缩小后的准确度考核结果。满量程为0-250kPa，压缩10倍后的量程变更为0-25kPa，压缩100倍后的量程变更为0-2.5kPa。从实验的结果可以看出，当压缩10倍量程比后，其基本误差分别为0.019%、0.012%、0.025%，仍然
能够保持由于0.05级的准确度；当压缩100倍量程比后，其基本误差分别为0.147%、0.219%、0.197%，其仍然可以优于0.25级的准确度。
表一 DW3351单晶硅差压变送器的量程比性能试验
如表2所示，3台经抽样的DW3351压力变送器经过10:1量程缩小和100:1量程缩小后的准确度考核结果。满量程为0-40MPa，压缩10倍后的量程变更为0-4MPa，压缩100倍后的量程变更为0-400kPa。从实验的结果可以看出，当压缩10倍量程比后，其基本误差分别为0.041%、0.047%、0.034%，仍然能够达到0.05级的准确度；当压缩100倍量程比后，其基本误差分别为0.15%、0.063%、0.153%，其仍然可以优于0.25级准确度。
表二 DW3351单晶硅压力变送器的量程比性能试验
2.4 DW3351优越的压力滞后性能
压力滞后特性也称回程误差特性，俗称回差，对于压力、差压变送器来说是一个较为重要的考核指标。回差的大小直接影响到变送器的测量准确性和长期漂移性能。如图5所示，这是一张典型的单晶硅误差曲线和金属电容误差曲线的比较示意图。从图中可以看出，单晶硅原理传感器的线性误差曲线的回差极小，上行程和下行程几乎重合，其回差基本可以忽略不计；而金属电容式原理的线性误差曲线的回差较大，上行程和下行程呈开口状，直接影响到变送器的输出精度。
图5 误差曲线例图
2.5 DW3351独特的静压特性
差压变送器在测量罐体液位或管道流量时，如果对静压影响不作校正或补偿，将会给测量带来较大误差，尤其是在液位范围较小或相对流量较小时，影响更巨大。例如一台电容式差压变送器同节流装置一起组成差压式流量计，在32MPa工作静压条件下其满量程静压误差为≤±2%FS，虽然其零位误差，可以通过调零来消除，但是满位输出误差无法避免。因此此静压误差直接影响流量的测试，并且影响量较大。在这种应用工况下，差压变送器的静压性能显得尤为重要，如果静压误差经过补偿，或其本身静压误差极小，则其测量精度将会得到大幅提高。
DW3351差压变送器采用独特的单晶硅芯片封装工艺，封装以后其内腔和外腔达到压力平衡。如图6所示为单晶硅硅片的封装示意图，当有工作静压加载到测量硅片的正负腔时，工作静压通过硅片外部的正腔硅油和硅片内部的负腔硅油平衡加载到测量硅片上，并实现了相互抵消，从而使得测量硅片对工作静压的弯曲变形极小。这样处理大幅提升了差压变送器的静压影响性能。
图6 单晶硅硅片封装示意图
而在微差压变送器的应用场合，由于微差压信号量过小，对于静压影响造成的影响非常敏感，如上所述的独特的封装设计和工艺仍不能完全消除或减弱静压影响量。因此针对此问题，DW3351的微差压变送器在其传感器的内部集成了一个可以测量工作静压的绝压传感器，如图7所示为DW3351微差压传感器的结构示意图。此绝压传感器可以将测得的工作静压信号实时反馈给内部的微处理器，微处理器利用此工作静压坐标轴自动修正微差压输出信号，从而达到静压补偿的功能。通过独特的封装工艺以及加装绝压传感器后，大幅提升了DW3351差压变送器的工作静压性能，从而保证了差压变送器的测量准确度和高稳定性。
图7 单晶硅微差压传感器结构示意图
2.6 DW3351独特的膜片处理工艺
相比于美国罗斯蒙特的金属电容式传感器、日本横河的单晶硅传感器、欧洲ABB的硅差压传感器等采用的隔离环膜片焊接方式，DW3351差压传感器采用了更为先进的无隔离环的卫生型膜片焊接方式。这种卫生型膜片焊接方式使得焊缝光滑，无缝隙，无死角，可以满足直接焊接多种材质膜片，如 316L、哈氏C、钽膜片、蒙乃尔膜片，由于没有缝隙的存在还可以在接液面进行直接镀金和喷涂PTFE等处理工艺。这种设计方式和特殊的处理工艺使得差压变送器的接液范围大幅延伸和拓展，并且大幅提升了腐蚀场合差压变送器的使用寿命。
2.7 DW3351独特的超高温远传设计和实现
众所周知，压力、差压变送器中的高温远传膜盒在应用过程中，当介质温度超过350℃应用时存在着巨大的安全隐患，较为容易出现硅油气化、数据失真或寿命下降等问题，这就要求应用现场的介质有一定的工作静压从而形成背压来保证膜盒的正常工作。这样造成了压力、差压变送器的远传液位测量应用范围受到了限制。而600℃超高温远传压力变送器采用了超高温介质的测量技术，其介质的可测量温度达到了600℃。
图8 超高温远传结构 原理图
如图8所示为此超高温远传的结构示意图。此超高温远传结构分为超高温充灌液和普通高温充灌液两个腔体，两个腔体之间焊接隔离膜片，并在超高温充灌腔体内设一个散热杆。和介质直接接触的超高温充灌液可以承受600℃的介质高温，但是超高温充灌液的粘度较高，不适合充入毛细管进行压力传递。因此，通过中间隔离膜片和普通高温充灌液腔体的压力进一步传递，可以保证压力的有限传递和快速响应。而高温热量经散热后传递到普通高温充灌腔体时温度已大幅下降，可以保证普通高温充灌液腔体的正常使用。这种方式拓宽了高温远传变送器的应用范围，并提高了超高温远传变送器的可靠性和寿命。
2.8 DW3351的实现性能指标和可靠性
通过以上对DW3351系列产品技术的介绍和分析，笔者简要地阐述了DW3351单晶硅高稳定性压力、差压变送器项目的实现过程。制造厂商从单晶硅原理芯片的选择、单晶硅硅片的无应力封装、回程误差的消除、静压影响的减弱、量程比的放大、接液面的特殊处理工艺以及超高温测量的拓展等多方面来提升高稳定性压力、差压变送器的全性能、准确度等级和可靠性。通过以上多种途径的技术引进和消化，并再加入创新性设计，使得DW3351系列高稳定性压力、差压变送器达到了国际先进水平，其主要的技术优势表现为：
①准确度等级达到0.05级，并取得计量器具制造许可证，达到了国际先进水平；
②微差压变送器采用独特的双过载保护膜片专利技术，可达±0.075%的高测量精度，最大的工作静压达到16MPa，最小的测量差压为-50Pa~50Pa，遥遥领先国内外技术水平；
③差压变送器最高工作静压可达40MPa，单向过载压力最高可达40MPa；
④差压传感器内部可选封装绝压传感器，可用于现场工作静压的测量和显示，也可应用于静压补偿，使得单晶硅压力变送器的静压性能极佳，使得典型规格的静压误差最优为≤±0.05%/10MPa。同时，由于内部绝压传感器的集成，保证了DW3351多参数变送器的成功研发，可广泛用于气体流量的测量领域，并填补了国内高端多参数变送器的空白。
5）压力、差压传感器内部集成的高灵敏度温度传感器，使得变送器温度性能极佳，最优为≤±0.04%/10K；
6）6kPa和40kPa微压力量程表压/绝压变送器可选用独特无传压损耗过载保护膜片专利技术，单向过压最高达7MPa，大幅拓宽了微压力传感器的特殊领域的应用范围；
7）典型规格的长期零位漂移量≤±0.1%/3年，并通过12万次90%的量程的极限压力疲劳测试，达到了10年免维护的能力；
8）实现了极宽的测量范围0-100Pa～60MPa，最高100:1的可调节量程比输出；
9）远传变送器采用先进的超高温专利技术，可应用于400℃超高温测量场合，突破了远传产品应用和测量的瓶颈。
这种单晶硅电阻式传感器的输出灵敏性高、信号量大、回差极小，并且电路设计较为简洁可靠，所以国际上较多变送器制造厂商优先采用此方案进行高端变送器的研发和制造。但是较之上文提及的金属电容式传感器和单晶硅谐振式传感器， 单晶硅电阻芯片的应用具有较为特殊的工艺要求。主要表现在硅芯片的无应力封装技术和硅薄膜的单向过载保护技术方面。这两项应用技术在2000年之前牢牢掌握在西方发达国家手中，从2010年之后，国内企业通过从瑞士ROCKSENSOR的技术合作、引进和再研发，最终充分掌握了多项相关技术，因此实现了高稳定性硅压力、差压变送器在国内大规模制造，其DW3351系列的高稳定性单晶硅变送器的准确度等级达到了0.05级，缩短了与以上工业发达国家知名品牌变送器的差距。
